憂改進雷達美阻華企收購飛利浦
【明報專訊】《紐約時報》刊登題為《美國對中國芯片雄心的擔憂與日俱增》的文章，文中稱，「中國正投入巨資打造本國半導體產業，這一提升其軍事力量及本土科技產業的舉動引起華盛頓的注意」。而在2016年1月下旬，美國外商投資委員會否決了中國投資者以29億收購飛利浦旗下子公司的照明業務的提議，就是美國政府擔憂的具體體現。
這早已不是第一次中資收購國外科技公司被美國政府阻擾，從早些年華為試圖收購3COM，到去年紫光提出收購鎂光被否決，中資在海外收購科技公司被行政力量阻撓已經屢見不鮮。
美國為何阻撓收購
美國政府要阻止的並非中國投資人所收購的照明業務本身，而是要阻止中國投資人通過收購飛利浦旗下子公司的照明業務後，進而掌握第三代半導體材料氮化鎵的相關技術。
半導體材料發展至今已歷三代：第一代半導體材料以鍺和硅為代表，被廣泛運用於集成電路製造領域；第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，主要應用於以光發射器件為基礎的光顯示、光通信和光存儲等光電子系統；第三代半導體材料則以氮化鎵、碳化硅、金剛石為代表，具有寬的帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、高熔點(1700攝氏度)、耐腐蝕等優點。特別是在傳統材料的功率器件發展到材料極限，已很難滿足高頻、高溫、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情況下，氮化鎵則可憑藉其材料特性，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面取而代之。
氮化鎵、碳化硅與硅的性能對比
也正是因此，諸多科技公司紛紛致力於氮化鎵功率器件的研發和生產——2015年1月，富士通和美國Transphorm在會津若松量產氮化鎵功率器件；2015年3月，松下和英飛凌達成共同開發氮化鎵功率器件的協議；同月，東芝照明技術公司開發出在電源中應用氮化鎵功率元件的鹵素LED燈泡……國內也有中航微電子、中鎵半導體等公司從事該領域的研發和生產，上海市政府則投入100億資金用於半導體材料的研發(不局限於氮化鎵)。
可以說，氮化鎵已是全球半導體研究的前沿和熱點。那麼，「高大上」的第三代半導體材料是怎樣和普普通通的電燈產生交集的呢？
由於氮化鎵的優異材料特性——氮化鎵基LED比傳統LED外形更小、功率更高、發光度更強，使其在LED電視、顯示器和普通照明領域獲得大展拳腳的空間，而中國一旦完成對飛利浦旗下子公司Lumileds的控股，則有可能獲得氮化鎵方面的相關技術。
更關鍵的是，氮化鎵在高頻大功率應用方面，其功率密度是現有的砷化鎵材料器件的10倍，不僅可以廣泛運用於通信基站、電動機車、電動汽車、風力發電等民用領域，還可以用於相控陣雷達等特殊領域。
因此，無論是對半導體產業的發展，還是在軍事應用方面，氮化鎵都有非常重要的意義。美國政府之所以阻止中國投資人收購飛利浦旗下子公司的照明業務，既有出於技術在軍事應用和國家安全方面的考慮，但更多的還是出於打壓中國半導體產業發展，保持美國科技公司技術優勢方面的考量。
美國緣何「擔憂」
中國被一些網友譽為「發達國家粉碎機」，任何一個工業領域，只要中國人突破了技術門檻，那就基本沒外國人什麼事了。部分發達國家在失去高附加值的工業品以剪刀差獲取高額利潤後原形畢露，在造血能力大幅萎縮後，又要維持高福利，進而產生「老歐洲病」，比如深陷債務危機的「歐洲四豬」。
在去工業化的浪潮下，美國本土勞動力密集型製造業大量轉移到第三世界國家，半導體等資本技術密集型產業對美國的重要性不言而喻。
