年花兩萬億買晶片 華自主研發困難重重
【明報專訊】晶片產業長期由歐美日韓控制，中國內地每年單是進口晶片就消耗超過3000億美元(約2.34萬億港元)外匯，超越中國內地每年進口石油的開支。去年中國所需的半導體產品，僅16%由本土生產。不過，相關產業的研發難以一蹴而就。半導體製造是資本密集型產業，研發周期長、資金投入極大，業界每年投入超過15%的年度收入作研發。每一代最先進的製造技術壽命只有2至4年，然後又被更先進的技術取代。半導體製造設備供應商需與晶片代工商、晶片設計師緊密合作，以保持製造技術不斷發展的步伐。
光刻機裝傳感器 一拆ASML便知
製造晶片主要依賴光刻機。市場主流的光刻機供應商由荷蘭ASML、日本Nikon和Canon三分天下，但最先進的極紫外光源(EUV)光刻機技術由ASML壟斷。目前中國內地規模最大的晶片代工商中芯國際(0981)採用的深紫外光源(DUV)光刻機已相對落後，向ASML購買最先進的EUV光刻機卻受美國所限。
業界人士能否嘗試拆解ASML的技術？據稱，光刻機有超過10萬個組件，且安裝了大量傳感器，只要嘗試拆解它，就會觸動傳感器向ASML發出警報。
中芯國際目前以14nm製程工藝生產晶片，較台積電、三星和英特爾落後至少兩代。製程數字愈細，所需的技術水平愈高，晶片效能愈強，且耗能愈少。早前內地一站式IP和定製晶片企業芯動科技稱，全球首個基於中芯FinFET「 N+1工藝」的晶片流片和測試，所有IP(半導體矽智財)全自主國產，功能一次測試通過。
所謂N＋1工藝，是指中芯在第一代14nm量產後的第二代先進工藝的代號。根據中芯國際提供的信息顯示，N＋1工藝和14nm工藝相比，性能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積小63%，SoC面積減少55%。從邏輯面積縮小的數據來看，與7nm工藝相近，並爭取本年底小批量試產。
